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Número de pieza(s) : TP3021
Motorola => Freescale
componentes Descripción : UHF power transistor
Número de pieza(s) : 2SC3022
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3022 C3022
New Jersey Semiconductor
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3101 C3101
Mitsumi
componentes Descripción : RF power transistor NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Número de pieza(s) : 2SC4989 C4989
Mitsumi
componentes Descripción : RF power transistor NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Número de pieza(s) : 2SC3102 C3102
New Jersey Semiconductor
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3630 C3630
Mitsumi
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3021 C3021
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3379 C3379
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3022 C3022
Mitsumi
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3102 C3102
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC2905
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Número de pieza(s) : 2SC3104 C3104
Mitsumi
componentes Descripción : RF power transistor NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Número de pieza(s) : MRF607
Microsemi Corporation
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Número de pieza(s) : RD60HUF1
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : Silicon MOSFET power transistor 520MHz,60W (Rev - 2003)
Número de pieza(s) : BFY90
Microsemi Corporation
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Número de pieza(s) : 2N4427
Advanced Semiconductor
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Número de pieza(s) : 2N4427
Microsemi Corporation
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Número de pieza(s) : 2N4427
New Jersey Semiconductor
componentes Descripción : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS (Rev - V2)
Número de pieza(s) : C1968A 2SC1968A
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)